Samsung ile uzun vadeli stratejik anlaşmasını devam ettirme kararı alan Qualcomm, duyurduğu Snapdragon 835 yonga setini 2017’nin ilk yarısında telefonlarda göreceğimiz şekilde üreticilere dağıtacak. Uzun süredir beklenen 820 serisinin takipçisi 830 değil 835 oldu, tam ayrıntıları yayınlanmamakla birlikte getirdiği yenilikler şöyle olacak;
Samsung’un 10 nm FinFET işlemiyle üretilecek olan Snapdragon 835, 14nm mimarisiyle üretilmiş olan Snapdragon 821 yonga setine göre %27’ye varan performans artışı ve %40’a varan güç tasarrufu sağlayacak. Snapdragon 821’lerin gücü ortadayken %27’lik bir artış gayet hatrı sayılır bir gelişme. Eldeki cihazların kapasiteleri sürekli artıyor, ama henüz çığır açan bir gelişme yaşanmadı; telefonlar cebimizdeki gereğinden fazla güçlü küçük oyuncaklar olmaya devam ediyor.
Piyasadaki bazı erken söylentilerin aksine 10 nm seri üretimini Tayvanlı yarı iletken üreticisi TSMC’den (MediaTek Helio X30/X35) önce 17 Ekim’de duyuran Samsung, Qualcomm için üretim yapmaya uzun bir süre daha devam edecek gibi duruyor. Her 2 yılda bir entegre devre içerisine yerleştirilebilecek transistör sayısının 2 katına çıkacağını öngören Moore Yasası da adeta piyasa belirleyici kural gibi geçerliliğini koruyor.
Snapdragon 835 ile gelecek olan Quick Charge 4.0 ise selefine göre %20 daha hızlı şarj edecek ve aynı zamanda %30 daha verimli olacak. Yine firma tarafından yapılan duyuruya göre 5 dakikalık şarj, kullanıcıya 5 saate kadar varan kullanım olanağı sağlayacak. 15 dakikalık şarj ise pili %50 oranında dolduracak, ki bu rakamlar oldukça iyi seviyelerde. Duyurulardan anlaşılan o ki Qualcomm, üreticilerin mimarinin küçülmesinden doğan alanı da pil için kullanmasını istiyor. 2017’ye yaklaşırken, 10nm FinFET işlemcilerin piyasaya girmesi çok geç kalmayacak gibi gözüküyor.